博士論文公聴会のお知らせ

D3 立溝信之の博士公聴会を以下のように開催します。

どなたでも聴講可能です。興味のある方はぜひ！

公聴会の詳細

審査申請者：立溝　信之　（たてみぞ　のぶゆき）

題目：3d遷移金属添加AlN薄膜の結晶学的特性と電子状態に関する研究

日時：2020年2月12日(水)　10:00-11:00　（11:00-12:00　最終試験）

会場：8号館1階　0812講義室

発表概要：

　窒化アルミニウム(AlN)に3d遷移金属を高濃度に添加することで起こる特異な電子状態と結晶学的配向変化を議論し、人工光合成用光電極、深紫外発光素子への応用の可能性について述べる。

発表に関係する主要論文：

　[1] N. Tatemizo, et al., "Electronic structure of AlFeN films exhibiting crystallographic orientation change from c- to a-axis with Fe concentrations and annealing effect"

　　　　Scientific Reports, 10, 1819 (2020).

　　　　https://www.nature.com/articles/s41598-020-58835-5

　[2] N. Tatemizo, et al., “Wurtzite [11-20]-oriented AlFeN films prepared by RF sputtering”,

　　　　AIP advances, 8, 115117 (2018).　

　　　　https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5053147

　[3] N. Tatemizo, et al., “Crystallographic properties and electronic structure of V-doped AlN films that absorb near ultraviolet-visible-infrared light”,

　　　　J. App. Phys., 123, 161546 (2018).

　　　　https://doi.org/10.1063/1.5004609

　[4] N. Tatemizo, et al., ”Band structure and photoconductivity of blue-green light absorbing AlTiN films”

　　　　J. Mater. Chem. A 5, 20824 (2017).

　　　　https://doi.org/10.1039/c7ta03936k

　[5] N. Tatemizo, et al., "Crystallographic and electronic properties of AlCrN films that absorb visible light",

　　　　AIP Adv. 7, 055306 (2017).

　　　　https://doi.org/10.1063/1.4983491